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Korean Journal of Metals and Materials > Volume 58(1); 2020 > Article
전도식 원자현미경을 이용한 ZnO 나노로드 기반 압전 나노발전기의 사이즈 의존성 평가

Abstract

ZnO nanorods are one of the most studied materials because it can be facilely grown on a wide range of substrates at low temperature. ZnO exhibits piezoelectricity as well as semiconducting properties, and hence is applicable to piezoelectric nanogenerators and sensors. In the present work, the effect of ZnO nanorods’ size on piezoelectric performance was systematically studied using conductive atomic force microscopy (C-AFM). We measured the total C-AFM signal for an observing area and evaluated the piezoelectric performance of the ZnO nanorods based on this total C-AFM signal. First, five samples of ZnO nanorod with distinct aspect ratios were hydrothermally grown on silicon substrates. Afterwards, two types of AFM tips with different spring constants were used to conduct C-AFM as a function of aspect ratio. When the AFM tip with a 42 N⁄m spring constant was used for the C-AFM measurement, the total C-AFM signal continuously increased with increasing aspect ratio. The total C-AFM signal increased with increasing normal force, but fluctuated with increasing scan rate. The results of the C-AFM experimental measurements were compared with the open-circuit voltage and short-circuit current of ZnO-nanorod based piezoelectric nanogenerator. We show that using C-AFM is a facile and effective method for investigating the optimized aspect ratio of ZnO nanorods for piezoelectric power generation.

1. 서 론

유기 및 무기소재에서 관찰되는 압전 특성들은 소재의 미세구조에서 발생하는 전하와 기계적 스트레인 간의 커플링 효과로부터 발생한다. 전통적인 압전소재 들은 납(Pb)을 기반으로 하는 PZT와 PMN-PT, 그리고 비납계 BaTiO3 등의 높은 압전계수를 지닌 전자세라믹스들이었다[1]. 우수한 광학적 특성으로 많은 관심을 받고 있는 ZnO의 경우 [2-4], 다소 낮은 압전 계수를 지녔음에도 불구하고 수열합성에 의해 저온 환경에서도 플라스틱 기판에서 나노선 형태로의 성장이 가능하다[5-7]. 특히 오늘날 유연압전 센서와 나노발전기 개발에 대한 사회적 관심과 맞물려 ZnO의 저차원 소재 형태로의 연구 및 개발이 활발하게 진행되고 있다[8-10].
2006년 Wang과 Song에 의해 전도식 원자현미경 (conductive atomic force microscopy, C-AFM)을 이용한 연구로부터 ZnO 나노선의 압전성 (piezoelectricity)가 관찰되었다[11]. 그 이후 지금까지 수많은 형태의 ZnO 나노선 기반 압전 소자가 연구되어 왔지만, 가장 기본이 되는 ZnO 나노선 기반의 압전 소자는 수직으로 배열된 ZnO 나노선을 ZnO 씨앗층(seed layer)으로 부터 성장시킨 뒤, 완충층(buffer layer)이 ZnO 나노선 상부에 증착되는 구조이다[12]. ZnO 나노선 기반 소자의 출력 전압 및 전류를 최대로 유도하기 위해서는 외부에서 전해지는 압력을 완충층이 효과적으로 ZnO 나노선에 전달함과 동시에 나노선에서의 원활한 압전현상의 유도가 중요하다. 물론 압전체이면서 동시에 반도체이기도 한 ZnO 기반의 소자에서는 전하 수송자들과 계면 에너지 제어에 의해서도 효율이 크게 영향을 받지만[13], 압전효과의 측면에서는 ZnO 나노선의 사이즈가 매우 큰 영향을 끼치게 된다.
수직으로 배열된 ZnO 나노선 기반의 압전소자에서의 발전 효율은 ZnO 나노선의 종횡비(aspect ratio)에 큰 영향을 받는 것으로 알려져있다[12,14-16]. 유한요소 해석을 이용하여 ZnO 나노선의 종횡비가 출력 전압에 미치는 영향을 분석한 연구 결과에 따르면 최대 전압은 80의 종횡비에서 유도되었다[16]. 또한, 수용액 화학 방식을 통해 성장한 ZnO 나노선들에 대한 소자 스케일에서의 분석 결과, 길이가 가장 긴 나노선으로부터 가장 많은 양의 출력 전하가 측정되기도 하였다[15].
ZnO 나노선 종횡비의 변화에 따라 굽힘 작용시 발생하는 전류를 측정하는 가장 직접적인 방법으로는 C-AFM을 사용하여 직접 나노선에 굽힘 현상을 유도한 뒤 금속물질로 코팅된 AFM 팁을 사용하여 직접 전류를 측정하는 방식이 있을 것이다[17,18]. 이러한 방식의 가장 큰 장점은 소자 스케일에서의 압전소자를 평가할 경우에는 나노선의 종횡비 이 외에도 소자 제작 공정의 오차 등 다른 요소들의 영향을 받게 되는 반면, C-AFM으로 단위면적당 총 전류만을 관찰할 경우 ZnO 나노선의 순수한 압전 효과만을 평가할 수 있다는 점이다.
따라서 본 연구에서는 다양한 종횡비의 ZnO 나노선을 수열합성 방식으로 수직으로 제작한 뒤, C-AFM 이용하여 ZnO 나노발전기에 유도된 전류량을 평가한다. 다양한 크기의 나노선에 대하여 C-AFM을 이용한 스캔 시 압력과 속도에 따른 전류의 변화, 그리고 탐침의 스프링 상수가 C-AFM 측정에 미치는 영향도 체계적으로 분석하였다. 마지막으로 다양한 크기의 ZnO 나노선을 기반으로 간단한 압전 나노발전기를 제작한 뒤 소자 스케일에서의 출력 전압 및 전류를 C-AFM 측정 결과와 비교 분석하였다.

2. 실험방법

ZnO 나노선 합성은 p형 실리콘 웨이퍼 (100) 기판 위에서 씨앗층 형성과 ZnO 나노선 성장의 두 단계 수열합성 공정으로 진행하였다. 실리콘 기판은 초음파 세척기에서 아세톤, 에타올, 초순수(Deionized water)를 이용하여 순서대로 10분씩 세척하였다. 우선 ZnO 씨앗층을 실리콘 웨이퍼 기판 위에 성장시키기 위해 초산아연2수화물(Zn(CH3COO)2·2H2O)를 에탄올과 혼합하여 만든 50 mM 용액에 실리콘 기판을 80 oC에서 30초간 담근 후 핫플레이트로 100 oC에서 5분간 건조시켰고, 이 과정을 3회 반복하였다. ZnO 나노선은 질산아연6수화물(Zn(NO3)2·6H2O) 과 헥사메틸렌테트라민 ((CH2)6N4; HMTA)를 1:1 몰비율로 섞은 후 초순수를 혼합하여 만든 50 mM의 전구체 용액에 80 oC의 온도에서 4시간에서부터 6시간, 8시간, 12시간, 그리고 24시간까지 총 5종류로 제작하였다 (표 1). 5 종류의 ZnO 나노선 샘플에 대한 성장 조건은 C-AFM 측정 상태를 기준으로 정하였다. 성장 시간을 1시간부터 1시간 단위로 증가시켜가며 CAFM 측정 상태를 관찰한 결과 4시간동안 성장한 약 70 nm 직경과 1.1 µm 길이의 크기에서부터 안정적으로 CAFM 신호를 유도할 수 있었고, 크기가 그 이하인 경우에는 C-AFM 측정이 원활하지 못하였다. 이는 길이가 최소약 1.1 µm 정도가 되었을 때 AFM 팁으로 압전 현상을 유도하기에 충분한 크기의 굽힘을 유도할 수 있기 때문인 것으로 해석된다. 성장 후, 잔류물을 제거하기 위해 ZnO 나노선이 성장된 기판을 초음파 세척기에서 초순수로 세척한 후 상온에서 건조시켰다[19].
성장한 ZnO 나노선의 표면 형상분석을 위해 전계방사형 주사전자현미경 (field emission scanning electron microscope, FE-SEM, JSM6700F, JEOL)을 사용하였다. 표면 형태 분석은 AFM 장비 (XE-150, Park Systems)에서 진행하였고, C-AFM 측정을 위해 전류 증폭기(current amplifier)를 추가로 설치하였다. 그림 1의 모식도에서 설명된 바와 같이, C-AFM 측정을 진행할 경우 표면형상 신호는 위치감지형 광검출기(PSPD)를 통해서 얻게 되는 동시에 탐침을 통해 소재표면의 국부적인 전류가 동시에 측정된다. 일반적인 C-AFM 측정과는 다르게 본 연구에서 C-AFM 측정시에는 탐침이나 기판에 전압을 따로 인가하지 않았다. 한편, ZnO 나노선의 크기와 종횡비 변화가 C-AFM 측정 결과에 주는 영향을 관찰하는데 있어서 AFM 팁의 스프링 상수가 주는 영향을 분석할 필요가 있다. 그 이유는 나노선의 크기가 지속적으로 증가할 경우 스프링 상수가 상대적으로 작은 AFM 팁으로는 굽힘 현상을 유도하기 힘든 현상이 발생할 수도 있고, 이럴 경우 C-AFM 측정으로는 압전효과를 충분히 파악하기 힘들게 되기 때문이다. 따라서, ZnO 나노선의 C-AFM 측정은 ElectriMulti75-G (스프링 상수 : 3 N/m, BudgetSensor)와 PPP-NCHPt (스프링 상수 : 42 N/m, NanoSensors)의 두 종류 AFM 팁으로 진행하였다. 본 논문에서는 각각의 팁에 대해서 약어로 Multi75, NCHPt를 사용한다. AFM 표면 형상 이미지와 C-AFM 신호 모두 샘플의 10 μm×5 μm 면적에 대해 512 × 128픽셀의 해상도에서 측정하였다. Multi75와 NCHPt 팁이 스캔할 때 가하는 수직력은 각 팁의 스프링 상수를 고려하여 결정하였다. 본 연구에서는 C-AFM 측정 전체 면적(10 µm × 5 µm)의 512 × 128 데이터 포인트에 대해 측정된 총 전류값 (Itot)은 n형 ZnO에서 압전으로 생성되는 전류가 음수인 것을 고려해서 Itot=m=1, n=1m=512, n=128im×n의 값으로 나타내었다. 이러한 방식을 이용하여 크기가 다른 ZnO 나노선을 기반으로 하는 압전 소자들의 성능을 비교 평가 하였다.
ZnO 나노선 기반 압전 나노발전기 제작은 그림 2의 순서로 이루어졌다. 우선, 폴리디메틸실록산(PDMS, Sylgard184)와 경화제를 10:1의 질량비로 균일하게 혼합하여 스핀 코팅으로 완충층을 ZnO 나노선이 자란 실리콘 기판 위에 증착하였다. 그리고 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide, ITO)이 코팅된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 기판에 얇은 PDMS 층을 5000 rpm으로 20초 동안 스핀코팅 한 뒤, 핫플레이트를 이용하여 80 oC에서 5분간 열처리하였다. 이 후, 상부전극에 해당하는 ITO가 코팅된 PET기판과 하부전극에 해당하는 실리콘 기판을 합쳐서 진공 조건의 오븐에서 80 oC에서 5시간 동안 경화하였다. 그 후, 실리콘 기판의 밑면에 실버 페이스트를 이용하여 전선연결을 완성하였다. Si 기판에 ZnO 나노선이 성장한 총 면적은 2 cm × 2 cm이었고, Pushing test시 소자에 압력을 가하는 면적은 1 cm × 1 cm 에 해당한다. 본 연구의 목적은 ZnO 나노선의 종횡비에 따른 piezoelectric nanogenerator의 압전 성능 비교에 있기 때문에, 소자의 출력 전압 향상을 위한 폴링 (poling) 공정을 추가적으로 진행하지는 않았다. 압전소자에 가해진 압력에 대한 개방전압과 단락전류 측정을 위하여 압력 테스터기 (JUNIL TECH, JIPT-100)와 소스미터 (Keithley, 2612B)를 사용하였다. 압력 테스트는 50 kPa ‒ 300 kPa의 힘과 1.5 Hz ‒ 3.5 Hz의 빈도 범위에서 이루어졌다.

3. 결과및고찰

ZnO 나노선의 수열합성 과정에서 합성 시간에 차이를 둔 결과 그림 3과 같이 다양한 크기의 나노선이 실리콘 웨이퍼 위에 수직으로 성장하였다. 표 2로부터 샘플들의 크기는 70.59 nm ‒ 87.42 nm 범위의 직경과 1143 nm ‒ 1819 nm 길이에서 분포하고 있음을 알 수 있다. 길이/직경으로 계산한 종횡비 (aspect ratio)는 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이 수열합성 시간의 증가에 따라 지속적으로 증가했음을 확인할 수 있다.
도핑되지 않은 ZnO 나노선은 일반적으로 n형 반도체 성격을 보이는 것으로 알려져 있으며 C-AFM 모드에서 탐침이나 기판에 전압을 인가하지 않은 상태로 스캔을 할 경우에도 나노선의 압전현상에 의해서 외부 회로에 전류가 발생하는 것으로 보고된바 있다 [11,17,18]. 그림 4(a)는 이 과정을 Ref. [17]에 제시된 모델을 모식도를 이용하여 나타내고 있다. 이에 따르면 AFM 팁에 의해서 굽힘이 발생한 ZnO 나노선에서 압축이 발생한 면과 팽창이 발생한 면에는 각각 V와 V+이 발생한다. 일반적으로 Pt와 같은 금속 물질로 코팅된 AFM 팁이 ZnO와 접촉할 경우 쇼트키 접촉 (Shottky contact)이 형성되고 AFM 팁이 V가 형성된 부위에 접촉할 때에만 전류가 흐르게 된다. 이러한 원리를 바탕으로 두 종류의 AFM 팁 (Multi75, NCHPt)을 사용하여 4시간 성장한 S4 샘플에 대해 측정한 topography 이미지와 C-AFM 이미지가 그림 4(b)(e)에 소개되어 있다. Multi75는 0.4 Hz 스캔 속도와 30 nN 수직력, NCHPt는 0.4 Hz의 스캔 속도와 420 nN의 수직력 조건에서 측정이 진행되었다. 그림 4(b)그림 4(d)의 비교를 통해 NCHPt로 측정한 그림 4(d)가 Multi75로 측정한 그림 4(b)보다 ZnO 나노선의 높이가 더 크게 나타났음을 알 수 있다. 이는 동일한 샘플일지라도 수직력이 10배 이상 더 큰 상태로 AFM 스캔을 진행할 경우 ZnO 나노선들 빈 공간의 더 깊은 곳까지 AFM 팁이 닿을 수 있기 때문에 발생한 결과인 것으로 풀이할 수 있다. 한편 Multi75와 NCHPt로 측정한 C-AFM 이미지가 그림 4(c)그림 4(e)에 각각 소개되어 있다. NCHPt로 측정한 그림 4(e)의 전체적인 전류값이 그림 4(c)보다 큰 것을 확인할 수 있는데, 이는 AFM 팁들의 수직력 차이로 인한 압전효과의 차이에서 발생한 것으로 이해할 수 있다.
스프링 상수가 다른 두 종류의 탐침을 사용하여 종횡비가 다른 5 종류의 샘플에 대해 C-AFM을 측정한 결과가 그림 5(a)에 소개되어 있다. 여기에서 사용된 측정 조건은 그림 4에서 소개된 조건과 동일하다. 그림 5(a)로부터 NCHPt 팁의 결과가 Multi75팁에 비해서 전체적인 총 전류값이 높다는 것을 확인할 수 있다. 또한 ZnO 나노선의 사이즈 증가에 따라 Multi75의 경우에는 총 전류값의 증가가 둔화되는 반면 NCHPt의 경우에는 지속적으로 증가 하는 것을 확인할 수 있다. 이는 두 탐침의 스프링 상수 차이로부터 발생하는 현상으로 NCHPt의 경우 ZnO nanorod의 직경이 증가하더라도 굽힘을 유도할 수 있는 충분한 크기의 스프링 상수를 지녔기 때문인 것으로 풀이할 수 있다.
그림 5(a)에 소개된 총 전류값을 더 자세히 관찰하기 위하여 그림 5(b)그림 5(c)에서 각각의 C-AFM 데이터를 히스토그램으로 나타내었다. 그림 5(b)는 5종류의 샘플을 Multi75로 측정한 결과를 나타내고 있고, 그림 5(c)는 NCHPt로 측정한 결과를 나타내고 있다. Multi75와 NCHPt로 측정했을 때 측정된 전류 값 범위가 크게 다르기 때문에 그림 5(b)그림 5(c)는 각각 (−3 nA) − (0 Α)와 (−14 nA) − (0 Α) 범위 내에서의 결과를 보여준다. Multi75로 측정된 결과에 따르면 샘플의 종횡비가 증가할수록 im×n < −1 nA 인 데이터 포인트 수가 증가하다가 S8 이후부터는 확실하게 증가하는 경향을 확인하기 힘들다. 반면 NCHPt의 경우에는 종횡비의 증가와 함께 꾸준하게 im×n −5 nA를 만족하는 데이터 포인트 수가 증가함을 명확하게 확인할 수 있다.
ZnO 나노선의 굽힘에 의해 발생하는 C-AFM 전류의 크기는 AFM 팁의 수직력과 스캔속도에 따라 다르다 [20]. 따라서, 다양한 종횡비의 샘플에 대하여 수직력의 증가와 스캔 속력의 증가에 따른 총전류값의 변화를 관찰하였다. 우선 그림 6(a)는 15 nN, 30 nN, 60 nN, 90 nN의 다양한 수직력에서 0.2 Hz로 스캔 시 총 전류의 변화를 보여주고 있다. 모든 샘플에 공통적으로 수직력이 증가할수록 총 전류값이 증가함을 명확하게 확인할 수 있다. 또한, 모든 수직력조건에서 종횡비가 가장 높은 S24 샘플에서 최대 전류값을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다. S4와 S6 샘플의 경우에는 종횡비가 더 큰 S6 샘플에서 더 낮은 전류가 측정되었는데, 이는 스캔 속력의 변화에 따라 변할 수 있음을 그림 6(b)에서 보여주고 있다. 그림 6(b)에 따르면 0.1 Hz에서 스캔 시 S6에서 S4보다 더 높은 총전류값이 관찰되었다가 0.2 Hz에서는 그 반대 현상이 관찰되었다. 전체적으로 스캔 속력의 증가에 의한 총전류값의 변화는 다소 복잡한 결과가 관찰되었다. S24 샘플을 제외하고는 모든 샘플에서 스캔 속력의 증가에 따른 일관성 있는 변화가 관찰되지 않았다. 특히 S24를 제외하고는 0.2 Hz의 스캔 속력에서 최소 전류가 기록되었다. 이와 같이 스캔 속력의 증가와 비례하지 않는 전류의 변화 현상은 다음과 같은 이유로 풀이된다. 우선 스캔 속력이 빠를 수록 ZnO 나노선의 압축된 부위와 AFM 팁의 완전한 접촉이 힘들어지게 된다. 따라서 총전류값이 감소할 수 있지만 동시에 스캔 속력이 증가할수록 그림 1에서 소개된 피드백 컨트롤을 통한 Z축 컨트롤에 필요한 시간이 부족하게 되어 결과적으로 ZnO 나노선에 더 많은 굽힘현상을 유도하게 된다. 이 두 가지 현상의 복합된 작용으로 인하여 스캔속력의 증가에 따른 총전류값의 일관된 증가나 감소가 아닌 결과가 관찰되었다. 그림 6(c)에서는 샘플별로 0.4 Hz의 스캔 속력과 30 nN의 수직력 조건에서 측정된 전류와 종횡비를 직접적으로 비교해서 나타내고 있다. 증가율이 정확하게 일치하지는 않지만 전체적으로 종횡비의 증가에 따른 총전류의 증가를 확인할 수 있다.
지금까지 다양한 종횡비의 ZnO 나노선을 C-AFM을 이용하여 직접적으로 총전류를 측정한 결과들을 분석한 내용을 소개하였다. 종횡비가 다른 5개의 샘플들을 바탕으로 소자로 제작한 뒤 압력테스터로 소자에 압력을 가하면서 개방전압과 단락전류를 측정하였다 (그림 7(a)). 그림 7(b)그림 7(c)는 S24 샘플을 2 Hz에서 200 kPa 조건에서 압력을 가하며 측정한 개방전압과 단락전류의 결과를 나타내고 있다.
5개의 샘플들에 대해 C-AFM으로 측정한 ZnO 나노선의 총전류값과 ZnO 나노선 기반 압전소자에서의 출력 전압·전류를 비교하기 위하여 압력테스터기로 50 kPa에서부터 300 kPa까지 50 kPa의 간격으로 누르는 힘을 증가시키며 소자의 전압과 전류 결과를 관찰하였다. 그림 8(a)그림 8(b)에서는 1.5 Hz의 빈도 조건에서 측정한 개방전압 및 단락전류 결과를 나타내고 있다. 전체적으로 종횡비가 클수록 개방전압과 단락전류의 크기가 증가하는 경향을 보여주고 있다. 또한 소자에 가해지는 압력의 증가와 함께 개방전압과 단락전류의 크기도 증가함을 확인할 수 있다. 단락전류의 경우에는 압력의 증가에 따라 증가폭이 일정하지 않은데, 이러한 현상은 나노선의 압전효과에서 발생한다기 보다는 PDMS 층의 상태 등 소자 제작과정에서 발생하는 미세한 공정오차에서 기인한 것으로 보인다. 압전 나노발 전기 (piezoelelctric nanogenerator)의 출력 전압과 전류는 압력을 가하는 빈도에 의존하는 것으로 알려져 있다[21]. Fig 8(c)에서 보여지듯이 S24의 샘플에 대해 200 kPa의 힘으로 1.5 Hz에서 3.5 Hz까지 증가시키며 관찰해 본 결과, 압력 빈도 증가에 따라 개방전압과 단락전류 모두 지속적으로 증가함을 확인할 수 있었다. 따라서, 그림 8(a)와 그림 8(b)의 결과들은 압력을 가하는 빈도의 변화에 따라 달라질 것으로 예상할 수 있다.
종횡비가 다른 5종류의 ZnO 나노선 기반의 소자 제작 후 수직으로 누르는 압력의 증가에 따른 개방전압과 단락전류를 측정해본 결과, C-AFM으로 측정한 총전류값과 유사한 경향을 확인할 수 있었다. 따라서, ZnO 나노선에 AFM 팁을 이용하여 직접적으로 굽힘에 의한 압전현상을 유도한 후, C-AFM으로 측정 전체 면적에 대한 총전류값을 측정하는 방식은 간단하면서도 소자제작 공정 오차의 영향을 받지 않는 신뢰성 있는 결과를 얻을 수 있음을 확인할 수 있었다.

4. 결 론

본 연구에서는 수직으로 성장한 ZnO 나노선의 종횡비 변화에 따른 압전 효과를 C-AFM을 이용하여 평가하고 그 결과를 ZnO 나노선 기반 소자의 출력 전압·전류와 비교 분석하였다. 우선 크기가 다른 ZnO 나노선 5가지 샘플을 스프링 상수가 3 N/m와 42 N/m로 다른 두 종류의 탐침으로 각각 30 nN과 420 nN의 수직력으로 굽힘 유도 및 CAFM 측정한 결과 420 nN으로 측정한 결과에서는 나노선의 크기 증가와 함께 지속적인 관찰면적 전체에 대한 총전류값의 증가를 보였다. 그리고 일반적으로 종횡비가 클수록 C-AFM에 측정에 의한 전류도 증가해갔고 수직력의 크기가 클수록 전류의 크기도 지속적으로 증가하였다. 하지만, C-AFM 스캔 속력의 증가시에는 일관성 있는 C-AFM 결과를 보여주지 못하였다. 5종류의 ZnO 나노선 샘플에 대하여 PDMS로 완충층을 증착한 뒤 상하 전극을 연결하여 압전 나노발전기를 제작하였고, 수직으로 가하는 압력의 증가에 따른 소자의 개방전압과 단락전류를 관찰한 결과, 종횡비 증가와 함께 전압·전류의 증가가 관찰되었다. 따라서 C-AFM으로 ZnO 나노선의 단위 면적에 대한 총 전류값을 관찰하는 방식이 나노선의 압전성 평가에 수월하면서 신뢰성 있는 방식임을 확인할 수 있었다.

Acknowledgments

This study was supported by the Research fund for a new professor by the SeoulTech(Seoul National University of Science and Technology).

Fig. 1.
A schematic of simultaneous signal acquisition process of AFM topography and C-AFM.
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Fig. 2.
A fabrication process of ZnO nanorod-based piezoelectric nanogenerator.
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Fig. 3.
(a) The top view and (b) the side view of S4. (c) The top view and (d) the side view of S24. (e) The measured lengths and diameters of the five samples.
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Fig. 4.
(a) The bending and measuring process of current signal for vertically grown n-type ZnO nanorod using AFM tip. (b) A topography signal and (c) C-AFM signal obtained from S4 sample using Multi75. (d) A topography signal and (e) C-AFM signal obtained from S4 sample using NCHPt.
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Fig. 5.
(a) The measured total current (Itot) for 512 × 128 data points using Multi75 and NCHPt for the five samples. (b) Statistics of the measured current using Multi75, and (c) using NCHPt.
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Fig. 6.
(a) The measured total current as a function of set point (normal force), and (b) scan rate. (c) Total current and aspect ratio for the five samples.
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Fig. 7.
(a) The ZnO nanorod-based piezoelectric nanogenerator under the pushing tester. (b) Open circuit voltage and (c) short circuit current signals of S24 measured under periodic compression at 200 kPa pressure and 2 Hz frequency.
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Fig. 8.
(a) Open circuit voltage and (b) short circuit current for the five samples as a function of pressure. (c) Pushing frequency dependency of voltage and current values. (c) was conducted under 200 kPa pressure for S24 sample.
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Table 1.
The growth conditions of ZnO nanorod samples.
Sample name Precursor concentration Temperature Growth time (hours)
S4 50mM 80°C 4
S6 6
S8 8
S12 12
S24 24
Table 2.
Diameters and lengths of ZnO nanorods.
Sample name Diameter (nm) Length (nm) Aspect ratio
S4 70.59 1143 16.19
S6 71.82 1362 18.96
S8 75.42 1473 19.53
S12 76.28 1537 20.14
S24 87.42 1819 20.80

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