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Korean Journal of Metals and Materials > Volume 60(8); 2022 > Article
성에 제거용 대면적 투명 히터를 위한 환원된 산화 그래핀 연구

Abstract

Transparent heaters are promising devices because of their versatile applications in vehicles, smart windows, and sensors, etc. Indium tin oxide is widely used for transparent heater materials due to its high electronic conductivity and visible light transmittance. However, the cost of indium is too high, and its fabrication needs sophisticated processes, so that many studies have focused on alternative materials which are inexpensive and easy-to-synthesize. Graphene is a two-dimensional material in which carbon atoms bond to form a hexagonal structure, and it can be an alternative material due to its superior electronic/ thermal conductivity and cost-effectiveness. Here, we chemically treated graphite to synthesize large-sized graphene oxide (LGO), and coated it on a glass substrate, followed by reduction using hydrogen iodide for large-sized reduced graphene oxide (LrGO) on glass. From surface characterizations, we confirmed that the lateral size of the LGO was over 50 μm and the LGO sheets were uniformly coated on the glass, which minimized intersheet contact resistance. Structural characterizations demonstrated that the LGO sheets were reduced to LrGO and the LrGO sheets coated on the glass showed a transmittance of 76.2 % at 550 nm with a sheet resistance of 0.98 kΩ. Finally, the temperature of the substrate increased up to 30 °C when 30 V of voltage was applied for 5 min, and the frost on the glass surface vanished within 1 min.

1. 서 론

투명 히터는 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지면서 줄 발열 원리를 이용하여 표면 전체에 균일하게 열을 발생시키는 장치로, 운송 수단[1,2], 스마트 윈도우[3,4], 센서[5] 등에 적용될 수 있으며, 특히 겨울철이나 추운 환경에서 표면에 형성된 성에를 빠르고 쉽게 제거할 수 있다. 기존에는 높은 가시광선 투과도와 전기 전도도를 갖는 인듐 주석 산화물(ITO)을 주로 활용하였으나[6], 인듐의 높은 가격과 복잡한 공정 과정, 낮은 유연성 등으로 인하여 실생활에 다양하게 적용하기 어려운 점이 있다. 이를 해결하기 위해 ITO를 대체할 수 있는 소재에 대한 다양한 연구가 진행되어 왔으며, 은 나노와이어[7,8], 전도성 고분자[9], 탄소 나노튜브[10], 그래핀[11,12] 등의 소재를 활용한 연구가 집중되고 있다. 이 중 그래핀은 탄소 원자가 육각형 구조를 이루는 2차원 소재로, 비교적 저렴한 탄소 소재이며 이론적으로 높은 전자 이동도(200,000 cm S−1)[13] 및 열전도도(5,000W mK−1)[14]를 가지고 있어 투명 히터 소재로 적합하다. 그래핀을 이용한 기존 연구는 화학기상 증착법[11,15]을 활용한 연구가 많이 진행되었으나, 이러한 방식은 열처리 장비 내에서 고온으로 그래핀을 성장시킨 후 다른 기판으로 전사해야 하므로 대면적의 기판에 직접 적용하기 어려우며 전사 과정에서 그래핀 표면이 손상될 수 있다. 반면, 그래핀 표면을 부분적으로 산화하여 수용액 상태로 제작 시 기판에 바로 코팅할 수 있으며, 기판의 종류나 면적에 관계없이 적용 가능하다. 그러나, 그래핀 표면의 산화로 인한 결함으로 환원 이후에도 전기 및 열 전도도가 떨어질 수 있으며, 투명 히터의 발열 성능이 감소할 수 있다. 따라서, 그래핀 표면의 결함을 최소화하기 위해서는 합성 시 넓은 면적을 갖는 그래핀을 제작하여 그래핀 간의 접촉 저항을 최소화해야 한다.
본 연구에서는 대면적의 산화그래핀(large-sized graphene oxide, LGO)을 합성하여 용액 공정으로 유리 기판에 직접 코팅하였으며, 환원제를 이용하여 저온에서 화학적 환원하여 대면적의 환원된 산화그래핀(large-sized reduced graphene oxide, LrGO)으로 변환하였다. 표면 분석을 통하여 합성된 LGO의 크기 및 코팅 시 두께를 관찰하고자 하였으며, 구조 분석을 통해 환원 전후 LGO와 LrGO의 구조 변화를 관찰하고자 하였다. 유리 기판에 코팅된 LrGO의 투과도와 면 저항을 분석하였으며, 최종적으로 발열 특성 평가를 통해 투명 히터로서의 성능을 확인하고자 하였다.

2. 실험 방법

2.1. EG 합성

팽창된 흑연(expanded graphite, EG) 합성 과정은 기존의 문헌을 참고하여 합성하였다 [16]. 우선 흑연(99.99%) 1 g, 황산(H2SO4, 95%) 30 mL, 질산(HNO3, 93%) 10 mL 를 250 mL 삼각 플라스크에 넣고 12시간 동안 교반하였다. 이 과정에서 황산 및 질산이 흑연 층 사이로 들어가 간격을 벌리게 된다 [17]. 다음으로, 진공 필터링 장비로 산을 제거하고 흑연만 남긴 후, 3차 증류수로 여러 번 세척 후 진공 오븐에서 60°C로 24시간 동안 건조시켜 흑연층간 화합물(graphite intercalation compound, GIC)을 형성하였다. 마지막으로, 건조가 완료된 화합물을 관상로에 넣고 Ar 분위기에서 1050°C로 1분 간 가열하였다. 이 과정에서 GIC 내 잔류한 산이 제거되었고, 벌려진 층 간격은 유지되어 EG를 합성하였다.

2.2. LGO 합성

대면적 시트의 산화그래핀(large-size graphene oxide, LGO) 합성 과정은 Hummers 법을 참고하여 진행하였다 [16]. EG 200 mg과 황산 20 ml을 250 mL 삼각 플라스크에 넣고 12시간 동안 교반하였다. 이후 얼음이 담긴 용기로 플라스크를 옮긴 후, 과망가니즈산포타슘(KMnO4, 99.3%) 800 mg을 혼합하였다. 이후 35°C로 온도를 올린 후 2시간 동안 교반하여 산화시켰다. 이후 다시 얼음이 담긴 용기에 플라스크를 넣어 냉각시킨 후, 과산화수소(H2O2, 30%) 2 mL와 3차 증류수 30 mL를 넣어 반응을 종결시켰다. 이후 플라스크 내 용액을 원심분리를 통해 얻어진 LGO에 염산(HCl, 10%)과 물을 넣어 분산 및 원심 분리를 반복하여 잔류한 이온을 제거하였다. 마지막으로, 3차 증류수에 분산시켜 수용액 형태로 제작하였다. LGO와 시트 크기에 따른 특성을 비교하기 위해 그래핀 나노플레이레트(GNP, N002-PDE)를 사용하여 비교하였다.

2.3. LrGO/glass 제작

LGO 용액을 유리 기판 표면에 코팅하기 전, 화학적 처리 과정을 거쳐 유리 표면을 개질하였다. 우선 유리 기판(50 mm × 75 mm)를 이소프로필알코올 내에서 5 분 간 분산시켜 표면을 세척하였다. 다음으로 세척된 유리를 피라냐 용액에 침지시킨 후 150°C에서 30분 간 가열하여 잔류한 유기물을 완전히 제거하였다. 이후 물로 여러 번 세척 및 건조시킨 후, 3-아미노프로필트리에톡시시실란(APTES, 3%) 수용액에 침지시켜 표면을 하이드록실기(-OH)에서 아민기(-NH2)로 개질하였다. 마지막으로, 표면에 잔류한 APTES를 물로 세척 후 건조시켰다. 표면 처리된 유리 기판에 LGO 용액을 코팅하는 방식으로는 딥 코팅 방식을 이용하였다. 우선 LGO 용액을 80°C로 가열한 다음 APTES 처리된 유리 기판을 용액 속에 1분 간 침지한 후, 대기 중에 건조시켜 LGO가 코팅된 유리 기판(LGO/glass)를 제작하였다. 마지막으로, 앞서 제작한 LGO/glass를 200°C로 가열된 아이오딘화수소산(HI, 55%) 증기에 30분간 노출시켜 환원된 대면적 시트의 산화그래핀(large-size reduced graphene oxide, LrGO)이 코팅된 유리 기판(LrGO/glass)을 제작하였다. 이후 유리 기판 표면에 잔류한 아이오딘화수소산을 제거하기 위해, LrGO/glass를 진공 오븐에 넣고 100°C에서 30분 간 가열하였다. 그래핀 시트 면적에 따른 저항 변화를 관찰하기 위해, 대조군으로 GNP에 대해서도 동일한 코팅 및 환원 과정을 거쳐 제작(GNP/ glass) 하였다.

2.4. 소재 및 소자의 특성 평가

합성한 LGO의 표면을 분석하기 위해 주사전자현미경(SEM, Mira3, Tescan)을 활용하였으며, LrGO/glass에 대 한 표면 및 단차를 관찰하기 위해 백색광주사간섭계(WLI, NV-2700, Nano system)를 활용하였다. 화학적 환원 전후 LGO와 LrGO의 형상 및 구조 변화를 투과전자현미경(TEM, Talos F200X, Thermo Fisher Scientific)을 이용하여 분석하였다. 추가로, 그래핀 산화 및 환원 과정에서의 구조 변화를 분석하기 위해 X선 회절분석기(XRD, Xpert 3, Malvern Panalytical)와 라만 분광기(Raman spectroscopy)를 활용하였다. 또한, LGO와 LrGO 표면에서의 화학적 상태 및 결합 구조 분석을 위해 X선 광전자 분광분석기(XPS, K-Alpha, Thermo Fisher Scientific)를 이용하였다. 제작한 LrGO/glass의 광학적, 전기적 특성을 확인하기 위해 각각 자외선-가시광선/근적외선 분광광도계(UV-Vis, V-770, Jasco)와 표면저항측정기(4-point probe, CMT-SR2000N, Advanced Instrument Technology)를 통해 측정하였으며, 최종적으로 열화상 카메라(T560, FL-IR)와 직류전원공급기(PL-3005S, Protek)를 이용하여 LrGO/glass의 발열 특성과 성에 제거 성능을 평가하였다.

3. 결과 및 고찰

합성한 LGO에 대한 크기 및 형상에 대하여 SEM 분석을 진행하였으며, 그 결과를 그림 2에서 나타내었다. 그림 2(a)를 통해 약 50 μm 이상의 크기를 갖는 LGO sheet가 합성되었음을 알 수 있으며, 이러한 결과는 기존 연구들과 대비했을 때에도 훨씬 우수한 크기임을 알 수 있다 [18-20]. 이렇게 합성된 LGO를 표면 처리한 유리 기판에 딥코팅 및 환원 처리하였으며, 코팅된 표면 형상에 대한 결과를 WLI 분석하여 그림 2(b), (c)에서 나타내었다. 분석 전, LrGO/glass에 대해 코팅된 LrGO의 일부분을 제거한 후 경계면에 대해 표면 형상을 관찰하였으며, 그림 2(b)에서 중심을 경계로 단차가 형성되었음을 알 수 있다. 또한, 경계면을 기준으로 코팅된 LrGO의 두께를 관찰한 결과 약 18.9 nm 정도의 두께로 코팅되었음을 그림 2(c)를 통해 알 수 있다. 그림 2(d)에서 환원 전(LGO/glass) 및 환원 후(LrGO/glass)에도 높은 투과도를 유지하면서 유리 기판 표면에 균일하게 코팅되었음을 확인할 수 있다. 추가적으로, 합성된 본 소재를 스프레이 코팅하여 대면적의 유리 기판(200 mm × 200 mm)에도 균일하게 적용이 가능하며, 이를 그림 2(e)에 나타내었다.
다음으로 LGO, LrGO에 대한 구조 분석을 다각도로 진행하였다. 우선 그림 3(a), (b)에서 TEM 분석을 통해 LGO와 LrGO가 그래핀 시트 형상을 나타내고 있음을 확인했으며, SAED 분석을 통해 LGO가 흐릿한 링 패턴, LrGO가 뚜렷한 점 패턴을 나타내고 있음을 확인하였다. 이는 각 소재의 결정성과 관련된 것으로, 산화 반응에 의해 표면에서 다수의 결함과 산소 작용기를 갖는 LGO는 비교적 낮은 결정성으로 비정질 패턴을 보여주는 반면, LrGO는 화학적 환원에 의해 대부분의 산소 작용기가 제거되어 결정성을 회복하고 결정질 패턴을 보여주게 된다 [21]. 추가로, XRD 분석을 통해 EG, LGO, LrGO에 대한 구조 변화를 관찰하였으며, 그림 3(c)를 통해 각각 26.5°, 8.6°, 24.0°에서 peak이 나타났음을 알 수 있다. 이러한 peak의 위치 변화는 각 소재의 면간 거리와 관련이 있으며, Bragg law에 의해 아래와 같이 나타낼 수 있다.
nλ = 2dsinθ
여기서 n은 1, λ는 빛의 파장으로 약 0.154 nm, d는 면간 거리, θ는 결정면과 입사 X선 사이의 각도로, 위 식을 통해 각 소재의 면간 거리는 각각 0.34 nm, 1.03 nm, 0.37 nm 정도임을 알 수 있다. 이를 통해 EG가 산화되어 LGO로 변화되었을 때 면간 거리가 약 3배 가까이 증가하였음을 알 수 있는데, 이러한 이유는 산화 과정에서 그래핀 표면에 산소 작용기가 형성되었고, 이로 인해 면간 거리가 증가하게 된다. 이와 유사하게, LGO를 환원시켜 LrGO로 변화 시 표면의 산소 작용기 대부분이 제거되고, 이로 인해 면간 거리 역시 원래의 EG와 비슷한 수치로 감소하게 된다 [22]. 그래핀에 대한 추가적인 결함 정도의 분석을 위해 Raman 분석을 진행하였으며, 그 결과를 그림 3(d)에 나타내었다. EG, LGO, LrGO 모두 약 1580 cm−1에서 peak이 나타났으며, LGO와 LrGO의 경우 약 1355 cm−1에서 추가 peak가 나타났다. 해당 peak들은 각각 G band와 D band로, G band는 그래핀의 고유한 특성을, D band는 그래핀의 표면 결함 정도를 의미한다. 즉, G band만 존재하는 EG는 산화 전 순수한 그래핀의 특성만을 가지고 있어 결함이 거의 나타나지 않으며, 산화 이후 LGO에서 표면 결함 및 산소 작용기 형성으로 인해 D band가 현저히 나타나게 된다. 환원 이후 LrGO에서는 오히려 G band가 상대적으로 감소했는데, 이러한 이유는 환원 과정에서 표면 결함이 일부 회복되어 작은 크기의 sp2 영역들이 추가로 생성되었고, 이로 인해 sp2 영역의 평균 크기가 감소했기 때문이다 [23-26]. 이러한 결과는 G band 대비 D band의 상대 강도(ID/IG)로 비교할 수 있으며, LGO는 약 1.10, LrGO는 약 1.72로 크게 증가하였음을 알 수 있다.
마지막으로 XPS 분석을 통해 LGO와 LrGO의 표면에서의 화학 상태 및 결합 구조를 분석하였으며, 이를 그림 3(e), (f)에 나타내었다. 그림 3(e)에서는 두 소재의 C 1s에 대한 결과를 보여주고 있다. LGO와 LrGO 모두 공통적으로 284.6, 285.7, 286.5, 287.8 eV에서 peak이 나타났으며, 각각 C‒C, C‒OH, C‒O, C=O 결합을 의미한다 [27]. 추가적으로, LrGO에서는 289.4 eV와 291.7 eV에서도 peak이 나타났으며, 각각 O‒C=O 결합과 π-π 위상선을 의미한다 [27]. 이렇게 탄소와 산소 간의 여러 결합이 나타나는 이유는 산화 과정에 의해 표면에 여러 종류의 산소 작용기가 발생하였기 때문이며, 특히 C‒O 결합이 가장 두드러지게 나타났다. 환원 이후에는 전반적으로 산소 작용기의 비율이 크게 감소하였으며, C‒C 결합이 가장 두드러지게 나타났음을 알 수 있다. 동일 소재에 대한 O 1s에서의 결합 상태를 그림 3(f)에서 확인할 수 있다. O 1s에서 도 앞서 언급한 결과와 같이 탄소와 산소 간의 여러 작용기들이 나타났으며, 두 소재 모두 O=C‒O, O=C, C‒OH, O‒C 결합이 각각 531.2, 532.2, 533.1, 533.7 eV에서 나타났다 [28]. 이러한 산소 작용기들은 환원 이후 LrGO에서 상대적으로 크게 감소하였으며, 실제로 탄소 대비 산소의 비율 (O/C)은 LGO에서 약 1.17, LrGO에서 약 0.31로 4배 가까이 감소하였다. 이를 통해, 아이오딘화수소산을 이용하여 비교적 저온에서 처리 시에도 충분히 환원이 잘 이루어짐을 알 수 있다.
제작된 LrGO/glass에 대한 광학적, 전기적 특성에 대한 분석을 진행하였다. 그림 4(a)는 LrGO의 딥 코팅 횟수에 따른 투과도 그래프를 나타내고 있으며, 코팅 및 건조 횟수를 1회부터 5회까지 진행하였고 이에 대한 정보를 시료명에 표기하였다. 550 nm의 파장 기준 최대 약 86.6%(LrGO-1/ glass)에서 최소 약 52.7%(LrGO-5/glass)까지 감소하였다. 이를 통해 코팅 횟수가 증가함에 따라 전체적으로 투과도가 감소하는 것을 알 수 있다. 그림 4(b)에서는 소재에 대한 투과도와 면 저항에 대한 비교로, GNP-30/glass와 LrGO-3/glass는 각각 약 74.9%와 76.2%의 유사한 투과도를 나타내고 있으며, 면 저항은 GNP-30/glass의 경우 약 565.1 kΩ sq−1, LrGO-3/glass는 약 0.98 kΩ sq−1로 무려 577 배의 큰 면 저항 차이를 나타내고 있다. 이러한 결과는 그래핀 시트의 면적과 관련이 있는데, 유리 기판에 코팅 시 시트의 크기가 클수록 시트 간의 결정립계 비율이 감소하고, 이로 인해 전자가 그래핀 시트를 통해 전도 시 비교적 수월하게 이동이 가능하기 때문이다 [29]. 따라서, 상대적으로 시트 크기가 큰 LrGO가 보다 높은 전기 전도성을 나타낼 수 있으며, 유사한 투과도에서도 낮은 면 저항을 확보할 수 있게 된다. 이러한 결과는 그림 4(c)와 같이 기존에 연구되었던 환원된 산화그래핀 기반의 투명 전극 소재들과 비교했을 때에도 높은 광학적, 전기적 특성을 보인다 [30-34].
최종적으로, 제작한 LrGO-5/glass에 대하여 발열 특성 평가를 진행하였다. 유리 기판 양 쪽에 구리를 50 nm 증착하여 전극 형태로 제작 후 양 단에 30 V의 직류 전원을 5분 간 가하여 상온 상태와 유리 표면에 성에가 형성된 상태에서 온도 변화를 관찰하였으며, 이를 그림 5(a), (b)에 나타내었다. 그림 5(a)를 통해 상온에서 최대 약 30°C까지 온도가 증가하는 것을 관찰하였으며, 전압을 가하지 않았을 때는 기판 표면의 온도가 약 20°C로 일정하게 유지되는 것을 확인하였다. 유리 표면에 성에가 형성된 경우, 그림 5(b)에서처럼 전압을 인가하지 않았을 때는 시간에 따라 온도가 서서히 증가하는 것을 확인하였으며, 전압이 인가된 경우 보다 빠르게 온도가 상승하여 5분 경과 시 27°C까지 상승하는 것을 확인하였다. 그림 5(c)는 상온에서 30 V 인가 시 시간에 따른 온도 분포를 열화상 카메라로 촬영한 것으로, 전압 인가 이후 약 5분만에 표면에 전체적으로 균일하게 온도가 상승한 것을 알 수 있다. 그림 5(d)에서 시간에 따른 성에 제거를 영상으로 촬영하였으며, 전압 인가 시 1분 이내에 표면에 존재하던 성에의 대부분이 제거되는 것을 확인하였다.

4. 결 론

본 연구에서는 대면적 시트의 산화그래핀을 합성하여 투과도 대비 면 저항을 최소화하고 전기 전도성을 향상시키고자 하였으며, 액상 형태로 유리 기판에 코팅 및 환원하여 투명 전극의 형태로 제작하였다. 합성된 LGO는 약 50 μm 이상의 크기를 나타내었으며, 딥 코팅 및 스프레이 코팅으로 최대 200 mm × 200 mm의 유리 기판 표면에 균일하게 코팅하였다. 또한, 환원 전후에 대한 구조 분석을 다각도로 진행하였으며, SAED 패턴 형태, 면간 거리 등의 구조 변화가 현저히 발생하는 것을 확인하여 아이오딘화수소산에 의한 환원이 효과적으로 진행되었음을 알 수 있었다. 투과도 대비 면 저항 측정 결과 76.2%의 투과도에서 0.98 kΩ sq−1의 낮은 면 저항을 확보하였으며, 이는 대조군인 GNP에 비해 유사 투과도 대비 매우 낮은 수치(투과도 74.9%, 면 저항 565.1 kΩ sq−1)임을 확인하였다. 최종적으로 투명 전극에 대해 발열 특성 평가를 진행하였으며, 5분 간 30 V의 전압 인가 시 유리 기판 표면에 전체적으로 균일하게 온도가 10°C 상승하였고 표면에 형성된 성에가 약 1분 만에 대부분 제거되는 것을 확인하였다. 이러한 결과들을 바탕으로, 기존의 투명 전극 소재로 사용되는 ITO가 갖는 경제성 및 공정에서의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대한다.

Acknowledgments

연구는 과학기술정보통신부(NRF-2017M3A7B4049466, NRF-2020R1C1C1013900, 2022R1A4A1034312)와 산업통상자원부(20016181)의 지원을 받아 수행된 연구임. XPS 분석 결과는 한국기초과학연구원(KBSI)의 지원을 받아 수행되었음.

Fig. 1.
Schematic illustration of large-sized reduced graphene oxide (LrGO) on the glass substrate for the transparent heater.
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Fig. 2.
Surface characterizations. (a) SEM image of LGO. (b) White-line interferometer 3D image of the LrGO/glass and (c) corresponding height profile at the black-dashed line in (b). (d) Photograph of the bare glass, LGO/glass, and LrGO/glass. (e) Photograph of the LGO/glass(left) and LrGO/glass(right), which were fabricated on a size of 200 mm × 200 mm glass.
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Fig. 3.
Structural characterizations. TEM images and SAED images (inset) of (a) LGO and (b) LrGO. (c) XRD spectra and (d) Raman spectra for LGO, LrGO, and EG. XPS high-resolution spectra of LGO (upper) and LrGO (lower) for (e) C 1s, and (f) O 1s.
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Fig. 4.
Optical and electrical characterizations. (a) Transmittance of LrGO/glass at a visible light range from 300 nm to 800 nm. (b) Transmittance at 550 nm and sheet resistance of GNP-30/glass and LrGO-3/glass. (c) Compared data with the previous results for the rGO-based transparent conductive films.
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Fig. 5.
Heating performance characterizations. Time-temperature graph for LrGO-5/glass at 0 V (without heating) and 30 V (heating) of the applied voltages under (a) room temperature and (b) defrosted condition. (c) Infrared thermal images of LrGO-5/glass at 30 V of the applied voltage for 5 min under room temperature. (d) Photographs of LrGO-5/glass at 30 V of the applied voltage for 5 min under the defrosted condition.
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REFERENCES

1. S.-W. Kim, B. W. An, E. Cho, B. G. Hyun, Y.-J. Moon, S.-K. Kim, and J.-U. Park, Nano Lett. 18, 3865 (2018).
crossref
2. W.-S. Cheong, Y.-H. Kim, J.-M. Lee, C.-H. Hong, H.-Y. Choi, Y.-J. Kwak, Y. J. Kim, and Y. S. Kim, Adv. Mater. Technol. 4, 1800550 (2019).
crossref
3. S. Kiruthika and G. Kulkarni, Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 163, 231 (2017).
crossref
4. L. Veeramuthu, B.-Y. Chen, C.-Y. Tsai, F.-C. Liang, M. Venkatesan, D.-H. Jiang, C.-W. Chen, X. Cai, and C.-C. Kuo, RSC advances. 9, 35786 (2019).
crossref
5. H. S. Jo, S. An, C.-W. Park, D.-Y. Woo, A. L. Yarin, and S. S. Yoon, ACS Appl. Mater. Interfaces. 11, 40232 (2019).
crossref
6. K. Im, K. Cho, J. Kim, and S. Kim, Thin Solid Films. 518, 3960 (2010).
crossref
7. Y. Cai, X. Piao, X. Yao, E. Nie, Z. Zhang, and Z. Sun, Mater. Lett. 249, 66 (2019).
crossref
8. N.-S. Jang, K.-H. Kim, and J.-M. Kim, Korean J. Met. Mater. 59, 575 (2021).
crossref pdf
9. M. N. Gueye, A. Carella, R. Demadrille, and J.-P. Simonato, ACS Appl. Mater. Interfaces. 9, 27250 (2017).
crossref
10. L. R. Shobin and S. Manivannan, Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 174, 469 (2018).
crossref
11. J. Kang, H. Kim, K. S. Kim, S.-K. Lee, S. Bae, J.-H. Ahn, Y.-J. Kim, J.-B. Choi, and B. H. Hong, Nano Lett. 11, 5154 (2011).
crossref
12. H. Sun, D. Chen, C. Ye, X. Li, D. Dai, Q. Yuan, K. W. A. Chee, P. Zhao, N. Jiang, and C.-T. Lin, Appl. Surf. Sci. 435, 809 (2018).
crossref
13. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008).
crossref
14. A. A. Balandin, S. Ghosh, W. Bao, I. Calizo, D. Teweldebrhan, F. Miao, and C. N. Lau, Nano Lett. 8, 902 (2008).
crossref
15. Y. W. Jung, S. G. Jo, H.-I. Moon, Y. W. Kim, Y. Shin, G.-R. Park, and J. W. Lee, Korean J. Met. Mater. 60, 206 (2022).
crossref pdf
16. J. Jia, C.-M. Kan, X. Lin, X. Shen, and J.-K. Kim, Carbon. 77, 244 (2014).
crossref
17. A. M. Dimiev and J. M. Tour, ACS Nano. 8, 3060 (2014).
crossref
18. Y.-J. Wan, P.-L. Zhu, S.-H. Yu, R. Sun, C.-P. Wong, and W.-H. Liao, Carbon. 122, 74 (2017).
crossref
19. J. Chen, F. Chi, L. Huang, M. Zhang, B. Yao, Y. Li, C. Li, and G. Shi, Carbon. 110, 34 (2016).
crossref
20. R. T. M. Ahmad, T.-Z. Shen, A. R. Masud, T. K. Ekanayaka, B. Lee, and J.-K. Song, Langmuir. 32, 13458 (2016).
crossref
21. D. N. H. Tran, S. Kabiri, and D. Losic, Carbon. 76, 193 (2014).
crossref
22. F. T. Johra, J.-W. Lee, and W.-G. Jung, J. Ind. Eng. Chem. 20, 2883 (2014).
crossref
23. S. Stankovich, D. A. Dikin, R. D. Piner, K. A. Kohlhaas, A. Kleinhammes, Y. Jia, Y. Wu, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, Carbon. 45, 1558 (2007).
crossref
24. Y. Zhang, H.-L. Ma, Q. Zhang, J. Peng, J. Li, M. Zhai, and Z.-Z. Yu, J. Mater. Chem. 22, 13064 (2012).
crossref
25. J. Li, P. Zhou, F. Li, R. Ren, Y. Liu, J. Niu, J. Ma, X. Zhang, M. Tian, and J. Jin, J. Mater. Chem. A. 3, 11261 (2015).
crossref
26. F. Yin, S. Wu, Y. Wang, L. Wu, P. Yuan, and X. Wang, J. Solid State Chem. 237, 57 (2016).
crossref
27. F. Zeng, Z. Sun, X. Sang, D. Diamond, K. T. Lau, X. Liu, and D. S. Su, ChemSusChem. 4, 1587 (2011).
crossref
28. R. Al-Gaashani, A. Najjar, Y. Zakaria, S. Mansour, and M. A. Atieh, Ceram. Int. 45, 14439 (2019).
crossref
29. G. Eda and M. Chhowalla, Nano Lett. 9, 814 (2009).
crossref
30. D. Sui, Y. Huang, L. Huang, J. Liang, Y. Ma, and Y. Chen, Small. 7, 3186 (2011).
crossref
31. S. Y. Jeong, S. H. Kim, J. T. Han, H. J. Jeong, S. Yang, and G.-W. Lee, ACS Nano. 5, 870 (2011).
crossref
32. J. Ning, J. Wang, X. Li, T. Qiu, B. Luo, L. Hao, M. Liang, B. Wang, and L. Zhi, J. Mater. Chem. A. 2, 10969 (2014).
crossref
33. X. Wang, I. Kholmanov, H. Chou, and R. S. Ruoff, ACS nano. 9, 8737 (2015).
crossref
34. H. Sun, D. Chen, C. Ye, X. Li, D. Dai, Q. Yuan, K. W. A. Chee, P. Zhao, N. Jiang, and C.-T. Lin, Appl. Surf. Sci. 435, 809 (2018).
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